使用人工鉆石制程之砂輪(Wheel)，于Wafer晶背以研削方式移除硅層，經(jīng)粗磨&細(xì)磨兩個(gè)階段將Wafer厚度研磨減薄至客戶需求厚度；

針對(duì)研磨厚度<120um需求產(chǎn)品增加精磨，即拋光工藝，以取得更好的加工面粗糙度，消除殘余應(yīng)力提升強(qiáng)度。

高階工藝節(jié)點(diǎn)晶圓制造中隔離metal層的Low-k絕緣膜，因其機(jī)械強(qiáng)度低，若使用普通的切割刀進(jìn)行切割加工，會(huì)發(fā)生Low-k膜剝落及側(cè)面隱裂的風(fēng)險(xiǎn)。這類產(chǎn)品，需要執(zhí)行Laser Grooving (激光開槽)的方式去除Low-k膜以及相應(yīng)的Metal層，保證后續(xù)切割刀切割品質(zhì)；

晶圓制造中切割道Metal層中布有Cu層，因其延展性強(qiáng)，易造成切割刀包覆，影響切割品質(zhì)。這類產(chǎn)品，需要執(zhí)行Laser Grooving的方式去除Cu層，保證后續(xù)切割刀切割品質(zhì)。

使用人工鉆石制程之切割刀，以高速切削之方式將晶圓依客戶所需Die size切割成單顆晶粒，便于后續(xù)取Die進(jìn)行后制程；

切割一般分為單刀切割及雙刀切割；相對(duì)于單刀切割，雙刀切割第一刀切透切割道Metal層的方式，將改善切割道材料對(duì)刀片的影響，從而提升切割品質(zhì)，所以雙刀切割為目前主流切割模式。

無塵車間等級(jí)：Class10，產(chǎn)能：100KKea/M

將切割完成的晶圓UV后，依客戶需求以頂針將Tape與Die頂起分離，再由吸嘴以真空吸附方式將Die取出，并置放于全新空Tape進(jìn)行承載；

RW通過Ink & mapping兩種模式結(jié)合，將測(cè)試良品篩選挑出；

RW機(jī)臺(tái)對(duì)每顆IC挑前挑后位置記錄，保證了產(chǎn)品的可追溯性；

全良品出貨的模式，保證了后制程的兼容性。

將挑出的Die，通過AOI全自動(dòng)檢驗(yàn)設(shè)備，分為外觀良品及不良品；

AOI完成后生成AOI map，將良品不良品標(biāo)示為不同Bin code；挑揀設(shè)備使用該AOI map，將不良品篩選出來，產(chǎn)生最終良品部分待出貨；

晶圓外觀檢驗(yàn)?zāi)芰?0.5um。